EMZ1DXV6T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

140 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

0.55 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

- 0.1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

357 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

EMZ1DXV6T1, EMZ1D, EMZ1, EMZ