BSS87H6327XTSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

240 V

Id - Corrente di scarico continua:

260 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

3.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

4.5 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

160 mS

Tempo di caduta:

27.3 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.7 ns

Parte # Alias:

BSS87 H6327 SP001195034

Unità di peso:

0.004603 oz

Tags

BSS87H, BSS87, BSS8, BSS