FDT1600N10ALZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

156 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.8 V

Qg - Carica cancello:

3.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

10.42 W

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.8 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Serie:

FDT1600N10ALZ

Larghezza:

3.5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

10.7 S

Tempo di caduta:

14.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.4 ns

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

FDT16, FDT1, FDT