SIHB11N80E-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

D2PAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

440 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

88 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

179 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Serie:

E

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

4.5 S

Tempo di caduta:

18 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

55 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Tags

SIHB1, SIHB, SIH