CGHV40320D-GP4

CGHV40320D-GP4
Mfr. #:
CGHV40320D-GP4
Produttore:
N/A
Descrizione:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
CGHV40320D-GP4 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
CGHV40320D-GP4 DatasheetCGHV40320D-GP4 Datasheet (P4-P6)CGHV40320D-GP4 Datasheet (P7)
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
CGHV40320D-GP4 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
HEMT
Tecnologia:
GaN SiC
Guadagno:
21.8 dB
Polarità del transistor:
Canale N
Id - Corrente di scarico continua:
1.7 A
Potenza di uscita:
178 W
Tensione massima della porta di drenaggio:
65 V
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 85 C
Pd - Dissipazione di potenza:
67 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
DFN-6
Confezione:
Bobina
Applicazione:
Radar militari, jammer, strumentazione di prova, amplificatori a banda larga o a banda stretta, mobili terrestri e milit
Configurazione:
Singolo Triplo Scarico
Frequenza operativa:
1.2 GHz to 2.7 GHz
Marca:
Qorvo
Kit di sviluppo:
QPD1013EVB01
Sensibile all'umidità:
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
100
sottocategoria:
transistor
Tags
CGHV4, CGHV, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***fspeed SCT
Aerospace & Defense, 50 V, 4 GHz, 320W, Die, RoHS
***fspeed
320-W; 4.0-GHz; GaN HEMT Die
***i-Key
RF MOSFET HEMT 50V DIE
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Trans JFET 150V 12A GaN Bare Die Gel/T/R
***horized Procurement Solutions
OEMs, CMs ONLY (NO BROKERS)
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
CGHV40320D-GP4
DISTI # CGHV40320D-GP4-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 50V DIE
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
On Order
  • 10:$255.5500
CGHV40320D-GP4
DISTI # 941-CGHV40320D
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
RoHS: Compliant
50
  • 10:$249.3200
CGHV40320D-GP4
DISTI # CGHV40320D-GP4
WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
0
  • 50:$232.3200
Immagine Parte # Descrizione
CGHV40320D-GP4

Mfr.#: CGHV40320D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV40320D-GP4

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
CGHV40320D-GP4

Mfr.#: CGHV40320D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV40320D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V DIE
CGHV40320D

Mfr.#: CGHV40320D

OMO.#: OMO-CGHV40320D-318

RF JFET Transistors DC-4.0GHz 320W GaN 50Volt
Disponibilità
Azione:
50
Su ordine:
2033
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