PRF13750HR9

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

2.8 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 500 mV, 105 V

Guadagno:

19.5 dB

Potenza di uscita:

750 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

NI-1230H-4S-4

Frequenza operativa:

0.7 GHz to 1.3 GHz

Serie:

MRF13750H

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

Semiconduttori NXP

Numero di canali:

2 Channel

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.3 V

Tags

PRF1375, PRF137, PRF13, PRF1, PRF