FJD3305H1TM

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DPAK-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

400 V

Collettore-tensione di base VCBO:

700 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

9 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Corrente massima del collettore CC:

4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

4 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FJD3305H1

Guadagno di corrente CC hFE Max:

28

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Guadagno base/collettore DC hfe min:

19

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.009184 oz

Tags

FJD3, FJD