BC857BV,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-666-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Corrente massima del collettore CC:

- 200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

200 at 2 mA, 5 V

Altezza:

0.6 mm

Lunghezza:

1.7 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Nexperia

Corrente continua del collettore:

- 100 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

BC857BV T/R

Unità di peso:

0.035274 oz

Tags

BC857BV, BC857B, BC857, BC85, BC8