SIJA58DP-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

60 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.65 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V, - 16 V

Qg - Carica cancello:

50 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

27.7 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

TrenchFET, PowerPAK

Confezione:

Bobina

Serie:

SIJ

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Tempo di caduta:

8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

19 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

28 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

SIJA5, SIJA, SIJ