CMPT930 TR TIN/LEAD

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

45 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

30 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

CMPT9

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300 at 10 uA, 5 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

30 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

100 at 10 uA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

CMPT93, CMPT9, CMPT, CMP