FSB660A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SuperSOT-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

300 mV

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

75 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FSB660A

Guadagno di corrente CC hFE Max:

550

Altezza:

0.94 mm

Lunghezza:

2.92 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

2 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

250

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

FSB660A_NL

Unità di peso:

0.001058 oz

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