NE5511279A-T1-A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

CEL

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

3 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Guadagno:

15 dB

Potenza di uscita:

40 dBm

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

79A-4

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

900 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

CEL

Transconduttanza diretta - Min:

0.0023 S

Pd - Dissipazione di potenza:

20 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

6 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Tags

NE5511, NE551, NE55, NE5