BUK7Y7R8-80EX

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LFPAK56-5

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

63.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

238 W

Configurazione:

Triplicare

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

24 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

43 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns

Unità di peso:

0.002995 oz

Tags

BUK7Y7R, BUK7Y7, BUK7Y, BUK7, BUK