GA05JT03-46

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore GeneSiC

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

SiC

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-46-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

300 V

Id - Corrente di scarico continua:

9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

620 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

14.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 225 C

Pd - Dissipazione di potenza:

20 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore GeneSiC

Tempo di caduta:

12.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Tags

GA05J, GA05, GA0