TT8J3TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSST-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

65 mOhms, 65 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

4.8 nC, 4.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.25 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

1.8 S, 1.8 S

Tempo di caduta:

14 ns, 14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns, 20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns, 35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns, 7 ns

Parte # Alias:

TT8J3

Tags

TT8J, TT8