MMBT2369LT3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

15 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

250 mV

Corrente massima del collettore CC:

200 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MMBT2369L

Altezza:

0.94 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

200 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40

Pd - Dissipazione di potenza:

225 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

MMBT2369L, MMBT23, MMBT2, MMBT, MMB