CGH40120F

CGH40120F
Mfr. #:
CGH40120F
Produttore:
N/A
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-2.5GHz 28V 120W Gain 19dB GaN HEMT
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
CGH40120F Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
CGH40120F maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Cree
categoria di prodotto
Chip IC
Confezione
Tubo
Stile di montaggio
Vite
Intervallo operativo di temperatura
-
Pacchetto-Custodia
440193
Tecnologia
GaN SiC
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
HEMT
Guadagno
19 dB
Classe
-
Potenza di uscita
120 W
Pd-Power-Dissipazione
-
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 40 C
Applicazione
-
Frequenza operativa
1 GHz to 2.5 GHz
Id-Continuo-Scarico-Corrente
12 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
120 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
- 3 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
-
Polarità del transistor
Canale N
Transconduttanza diretta-Min
-
Kit di sviluppo
CGH40120F-TB
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 10 V to + 2 V
Gate-Sorgente-Tensione di interruzione
-
Tensione massima-Drain-Gate
-
Figura di rumore NF
-
P1dB-Punto di compressione
-
Tags
CGH4012, CGH401, CGH40, CGH4, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
RF MOSFET HEMT 28V 440193
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
CGH40120F
DISTI # CGH40120F-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 28V 440193
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray
629In Stock
  • 1:$302.8500
CGH40120F-TB
DISTI # CGH40120F-TB-ND
WolfspeedBOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40120
RoHS: Not compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
Temporarily Out of Stock
  • 1:$550.0000
CGH40120F
DISTI # 941-CGH40120F
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
RoHS: Compliant
167
  • 1:$302.8500
CGH40120F-TB
DISTI # 941-CGH40120F-TB
Cree, Inc.RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
RoHS: Not compliant
2
  • 1:$550.0000
CGH40120F
DISTI # CGH40120F
WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
100
  • 1:$302.8500
CGH40120F-TB
DISTI # CGH40120F-TB
WolfspeedRF TRANSISTOR TEST FIXTURE
RoHS: Compliant
0
  • 2:$550.0000
Immagine Parte # Descrizione
CGH40035F

Mfr.#: CGH40035F

OMO.#: OMO-CGH40035F

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
CGH40006P

Mfr.#: CGH40006P

OMO.#: OMO-CGH40006P

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
CGH40090PP-TB

Mfr.#: CGH40090PP-TB

OMO.#: OMO-CGH40090PP-TB

RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
CGH492T350W5L

Mfr.#: CGH492T350W5L

OMO.#: OMO-CGH492T350W5L

Aluminum Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 4900uF 350V-10+50%
CGH40010F-TB

Mfr.#: CGH40010F-TB

OMO.#: OMO-CGH40010F-TB

RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
CGH40006P-TB

Mfr.#: CGH40006P-TB

OMO.#: OMO-CGH40006P-TB-WOLFSPEED

BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40006P
CGH40045

Mfr.#: CGH40045

OMO.#: OMO-CGH40045-1190

Nuovo e originale
CGH40025F

Mfr.#: CGH40025F

OMO.#: OMO-CGH40025F-WOLFSPEED

RF JFET Transistors DC-6GHz 28V 25W Gain 13dB GaN HEMT
CGH40045F

Mfr.#: CGH40045F

OMO.#: OMO-CGH40045F-WOLFSPEED

RF JFET Transistors DC-4GHz 28V 45W Gain 14dB GaN HEMT
CGH482T450X5L

Mfr.#: CGH482T450X5L

OMO.#: OMO-CGH482T450X5L-CORNELL-DUBILIER-ELECTRONICS

Aluminum Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 4800uF 450V-10+50%
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
4500
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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
454,28 USD
454,28 USD
10
431,56 USD
4 315,61 USD
100
408,85 USD
40 884,75 USD
500
386,13 USD
193 066,90 USD
1000
363,42 USD
363 420,00 USD
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