BSM100GD120DN2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Esadecimale

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1200 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.5 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

150 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

400 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

680 W

Pacchetto/custodia:

EconoPACK 3A

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Altezza:

17 mm

Lunghezza:

122 mm

Larghezza:

62 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

BSM100GD120DN2BOSA1 SP000100365

Tags

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