SSM3J120TU(TE85L)

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UFM-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

60 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

SSM3J120

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

Piccolo segnale

Larghezza:

1.7 mm

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

12.1 S / 6.1 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

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