IXDR35N60BD1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

ISOPLUS-247-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.2 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

38 A

Pd - Dissipazione di potenza:

125 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

IXDR35N60B

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

48 A

Altezza:

21.34 mm

Lunghezza:

16.13 mm

Intervallo operativo di temperatura:

- 55 C to + 150 C

Larghezza:

5.21 mm

Marca:

IXYS

Corrente continua del collettore:

38 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

500 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.186952 oz

Tags

IXDR3, IXDR, IXD