PMGD175XNEX

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSSOP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

950 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

252 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

750 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

1.05 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

390 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

3.5 S

Tempo di caduta:

6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

14 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

PMGD175XNE, PMGD17, PMGD1, PMGD, PMG