NSV1C200MZ4T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 140 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.22 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

120 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

NSS1C200

Guadagno di corrente CC hFE Max:

360 at - 500 mA, - 2 V

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

NSV1C2, NSV1C, NSV1, NSV