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TGF2979-SM

TGF2979-SM
Mfr. #:
TGF2979-SM
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TGF2979-SM Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
TGF2979-SM maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
HEMT
Tecnologia:
GaN SiC
Guadagno:
13 dB
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
32 V
Vgs - Tensione di rottura gate-source:
- 2.7 V
Id - Corrente di scarico continua:
326 mA
Potenza di uscita:
6 W
Temperatura massima di esercizio:
+ 225 C
Pd - Dissipazione di potenza:
8.4 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
QFN-16
Confezione:
Vassoio
Configurazione:
Separare
Altezza:
0.203 mm
Lunghezza:
3 mm
Frequenza operativa:
DC to 12 GHz
Tipo:
GaN SiC HEMT
Larghezza:
3 mm
Marca:
Qorvo
Numero di canali:
1 Channel
Kit di sviluppo:
TGF2977-SMEVB1
Sensibile all'umidità:
sì
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
50
sottocategoria:
transistor
Parte # Alias:
1127257
Unità di peso:
0.002014 oz
Tags
TGF297, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC- 12 GHz, 25 W, 11 dB, 32 V, GaN, Plastic , QFN
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
TGF297x GaN RF Transistor
Qorvo TGF297x GaN RF Transistors have a frequency range of DC to 12GHz. The TGF2970 transistors offer output power from 6W up to 22W. The TGF2970 transistors are constructed using a TQGaN25 process, which features field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operation. Learn More
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
TGF2979-SM
DISTI # 772-TGF2979-SM		QorvoRF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
RoHS: Compliant		95
  • 1:$62.0000
  • 25:$53.6200
  • 100:$46.3800
TGF2979-SM-EVB
DISTI # 772-TGF2979-SM-EVB		QorvoRF Development Tools
RoHS: Compliant		0
  • 1:$875.0000
1127378
DISTI # TGF2979-SM		QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		30
  • 1:$38.2200
Immagine Parte # Descrizione
L-07C5N6SV6T

Mfr.#: L-07C5N6SV6T

OMO.#: OMO-L-07C5N6SV6T

 Fixed Inductors 5.6nH
X2B2020RFRFT

Mfr.#: X2B2020RFRFT

OMO.#: OMO-X2B2020RFRFT-AVX

 Signal Conditioning RFRF CROSSOVER SIZE 2020
500R07N101JV4T

Mfr.#: 500R07N101JV4T

OMO.#: OMO-500R07N101JV4T-JOHANSON-DIELECTRICS

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50volts 100pF 5% NPO
500R07N3R3CV4T

Mfr.#: 500R07N3R3CV4T

OMO.#: OMO-500R07N3R3CV4T-JOHANSON-DIELECTRICS

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50volts 3.3pF NPO
L-07C3N9SV6T

Mfr.#: L-07C3N9SV6T

OMO.#: OMO-L-07C3N9SV6T-JOHANSON-TECHNOLOGY

 Fixed Inductors 3.9nH
L-07C5N6SV6T

Mfr.#: L-07C5N6SV6T

OMO.#: OMO-L-07C5N6SV6T-JOHANSON-TECHNOLOGY

 Fixed Inductors 5.6nH
SQT-104-01-F-D

Mfr.#: SQT-104-01-F-D

OMO.#: OMO-SQT-104-01-F-D-SAMTEC

 Conn Socket Strip SKT 8 POS 2mm Solder ST Thru-Hole Tube
Disponibilità
Azione:
90
Su ordine:
2073
Inserisci la quantità:
Il prezzo attuale di TGF2979-SM è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
62,00 USD
62,00 USD
25
53,62 USD
1 340,50 USD
100
46,38 USD
4 638,00 USD
250
43,13 USD
10 782,50 USD
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