IXTX200N10L2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

PLUS-247-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

540 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.04 kW

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

Linear L2

Confezione:

Tubo

Altezza:

21.34 mm

Lunghezza:

16.13 mm

Serie:

IXTX200N10

Tipo:

Linear L2 Power MOSFET

Larghezza:

5.21 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

55 S

Tempo di caduta:

27 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

225 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

127 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

40 ns

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IXTX20, IXTX2, IXTX, IXT