NSVT3946DXV6T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 40 V, 60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V, 6 V

Corrente massima del collettore CC:

- 200 mA, 200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Pd - Dissipazione di potenza:

357 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

NSVT39, NSVT3, NSVT, NSV