DMC1229UFDB-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN2020-B-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.6 A, 3.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

17 mOhms, 37 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV, 1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

19.6 nC, 17.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.4 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMC1229

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

-

Tempo di caduta:

4.1 ns, 26.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10.5 ns,11.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16.6 ns, 27.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns, 5.7 ns

Unità di peso:

0.000229 oz

Tags

DMC12, DMC1, DMC