PMGD280UN,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSSOP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

870 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

340 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

0.89 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

0.4 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

1.35 mm

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

18.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.5 ns

Parte # Alias:

PMGD280UN T/R

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

PMGD280UN,1, PMGD28, PMGD2, PMGD, PMG