2SD2211T100Q

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

160 V

Collettore-tensione di base VCBO:

160 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Corrente massima del collettore CC:

1.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

80 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SD2211

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 100 mA, 5 V

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

4.5 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

1.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

2000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

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