IXXK100N60B3H1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-264-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.8 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

190 A

Pd - Dissipazione di potenza:

695 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

IXXK100N60

Confezione:

Tubo

Altezza:

26.59 mm

Lunghezza:

20.29 mm

Larghezza:

5.31 mm

Marca:

IXYS

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

XPT

Unità di peso:

0.352740 oz

Tags

IXXK1, IXXK, IXX