2N2918

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-78-6

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

45 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.35 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

60 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N2918

Guadagno di corrente CC hFE Max:

600

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

30 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N2918 PBFREE

Tags

2N291, 2N29, 2N2