BSM180D12P2C101

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli a semiconduttore di potenza

Tipo:

MOSFET di potenza SiC

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 22 V

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

Modulo

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BSMx

Confezione:

Massa

Configurazione:

Mezzo ponte

Altezza:

21.1 mm

Lunghezza:

122 mm

Larghezza:

45.6 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di ritardo tipico:

80 ns

Tempo di caduta:

90 ns

Id - Corrente di scarico continua:

204 A

Pd - Dissipazione di potenza:

175 W

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Ora di alzarsi:

90 ns

Quantità confezione di fabbrica:

12

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

300 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

80 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1200 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.6 V

Parte # Alias:

BSM180D12P2C101

Unità di peso:

1.763698 oz

Tags

BSM180D, BSM180, BSM18, BSM1, BSM