BC817K25E6433HTMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.7 V

Corrente massima del collettore CC:

1000 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

170 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BC817

Guadagno di corrente CC hFE Max:

400 at 100 mA, 1 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente continua del collettore:

500 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

160 at 100 mA, 1 V

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

817K-25 BC BC817K25E6433XT E6433 SP000271879

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

BC817K25E, BC817K2, BC817K, BC817, BC81, BC8