BSS192,135

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

240 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

4.6 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

2.6 mm

Marca:

Nexperia

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

/T3 BSS192

Unità di peso:

0.004603 oz

Tags

BSS192,1, BSS19, BSS1, BSS