APT100GN120JDQ4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli IGBT in carburo di silicio

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1.2 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.7 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

153 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

600 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

446 W

Pacchetto/custodia:

ISOTOP-4

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Marca:

Microchip / Microsemi

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Tensione massima dell'emettitore di gate:

30 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

IGBT

Tags

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