PMXB360ENEAZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-1010D-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

345 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.7 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

400 mW

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

3.2 S

Tempo di caduta:

3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2 ns

Unità di peso:

0.000042 oz

Tags

PMXB36, PMXB3, PMXB, PMX