2N4126 TRE

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

25 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.4 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

250 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N4126E

Guadagno di corrente CC hFE Max:

360 at 2 mA, 1 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

200 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

60 at 50 mA, 1 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N4126 PBFREE TRE

Tags

2N4126T, 2N4126, 2N412, 2N41, 2N4