PTFA211801F V4 R250

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

1.3 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

50 mOhms

Guadagno:

17.5 dB

Potenza di uscita:

180 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

H-34288-4/2

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Altezza:

4.11 mm

Lunghezza:

23.11 mm

Frequenza operativa:

2170 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

13.72 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Modalità canale:

Aumento

Pd - Dissipazione di potenza:

56.5 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Parte # Alias:

FA211801FV4R25XT

Tags

PTFA211801F, PTFA2118, PTFA211, PTFA21, PTFA2, PTFA, PTF