STB45N60DM2AG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

D2PAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

34 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

93 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

56 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

250 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

MDmesh

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.6 mm

Lunghezza:

10.4 mm

Prodotto:

MOSFET di potenza

Serie:

STB45N60DM2AG

Tipo di transistor:

1 N-Channel Power MOSFET

Tipo:

Alta tensione

Larghezza:

9.35 mm

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

27 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

85 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

29 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

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