IXTH90P10P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

90 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

25 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

120 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

462 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Serie:

IXTH90P10

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

22 S

Tempo di caduta:

32 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

77 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

54 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

IXTH90, IXTH9, IXTH, IXT