2SD1815S-E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

120 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

150 mV

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

180 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SD1815

Guadagno di corrente CC hFE Max:

400

Confezione:

Massa

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

140

Pd - Dissipazione di potenza:

20 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.011993 oz

Tags

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