NJVMJB41CT4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

D2PAK-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.5 V

Corrente massima del collettore CC:

6 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MJB41C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

75 at 3 A, 4 V

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20 at 500 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

65 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.079014 oz

Tags

NJVMJB, NJVM, NJV