SS9012GBU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.18 V

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

SS9012

Guadagno di corrente CC hFE Max:

202

Altezza:

4.7 mm

Lunghezza:

4.7 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

3.93 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

- 0.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

64

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

SS9012GBU_NL

Unità di peso:

0.006314 oz

Tags

SS9012G, SS9012, SS901, SS90, SS9