TK11A45D(STA4,Q,M)

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220FP-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

450 V

Id - Corrente di scarico continua:

11 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

500 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

20 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

40 W

Configurazione:

Separare

Altezza:

15 mm

Lunghezza:

10 mm

Serie:

TK11A45D

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

0.8 S

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

75 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

60 ns

Tags

TK11A45D(S, TK11A4, TK11A, TK11, TK1