NST856BF3T5G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-1123-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

65 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

NST856BF3T5G

Guadagno di corrente CC hFE Max:

220 at 2 mA, 5 V

Altezza:

0.37 mm

Lunghezza:

0.6 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

0.8 mm

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

220 at 2 mA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

347 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

transistor

Tags

NST85, NST8, NST