IXTY02N50D

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

30 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

-

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

-

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

esaurimento

Confezione:

Tubo

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

IXTY02N50

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

-

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

-

Kit di sviluppo:

-

Tempo di caduta:

4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

70

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

28 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

IXTY02N50D, IXTY02N5, IXTY02, IXTY0, IXTY, IXT