FPNH10

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

T

Tipo di transistor:

Bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Guadagno base/collettore DC hfe min:

60

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

25 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

3 V

Corrente continua del collettore:

0.05 A

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92

Confezione:

Massa

Collettore-tensione di base VCBO:

30 V

Guadagno di corrente CC hFE Max:

60 at 4 mA at 10 V

Altezza:

4.7 mm

Lunghezza:

4.7 mm

Frequenza operativa:

650 MHz

Tipo:

Segnale bipolare RF di piccole dimensioni

Larghezza:

3.93 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

650 MHz (Min)

Corrente massima del collettore CC:

0.05 A

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.006286 oz

Tags

FPN