TSM1NB60SCT A3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

500 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

6.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Pacchetto munizioni

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Transconduttanza diretta - Min:

0.8 S

Tempo di caduta:

14.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.7 ns

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

TSM1NB, TSM1N, TSM1, TSM