NTQD6866R2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSSOP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

6.9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

30 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.95 mm

Lunghezza:

3.1 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

14 S

Tempo di caduta:

75 ns, 90 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

45 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns, 40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns, 10 ns

Unità di peso:

0.005573 oz

Tags

NTQD6866R, NTQD68, NTQD6, NTQD, NTQ