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IXFE48N50QD2

IXFE48N50QD2
Mfr. #:
IXFE48N50QD2
Produttore:
IXYS
Descrizione:
MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IXFE48N50QD2 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
IXYS
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Serie
IXFE48N50QD2
Confezione
Tubo
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
ISOPLUS-227-4
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
400 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 40 C
Tempo di caduta
10 ns
Ora di alzarsi
22 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
41 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
500 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
110 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
75 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
33 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
IXFE48N50Q, IXFE48, IXFE4, IXFE, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
***ark
Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 300 V, 225 W, 100 A, 300 RoHS Compliant: Yes
***r Electronics
Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
***ical
Trans Darlington NPN 300V 100A 225000mW 4-Pin ISOTOP Tube
***ronik
NPN-TRANSISTOR 300V 100A ISOTOP RoHSconf
***ment14 APAC
DARLINGTON Transistor, SOT-227; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation
***nell
TRANSISTOR, DARLINGTON SOT-227; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300V; Transistor Case Style: SOT-227; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Av Current Ic: 100A; Continuous Collector Current Ic Max:
***ource
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
***el Electronic
Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
***et
PWR IGBT 39A,600V,SMPS N-CH W/DIODE TO-227
***DA Technology Co., Ltd.
Product Description Demo for Development.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IXFE48N50QD2
DISTI # IXFE48N50QD2-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 10:$32.9300
IXFE48N50QD2
DISTI # 747-IXFE48N50QD2		IXYS CorporationMOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds
RoHS: Compliant		0
  • 10:$32.9300
  • 30:$30.2600
  • 50:$28.9700
  • 100:$28.1300
  • 200:$25.8100
Immagine Parte # Descrizione
IXFE48N50Q

Mfr.#: IXFE48N50Q

OMO.#: OMO-IXFE48N50Q

 MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds
IXFE48N50

Mfr.#: IXFE48N50

OMO.#: OMO-IXFE48N50-1190

 Nuovo e originale
IXFE48N50QD3

Mfr.#: IXFE48N50QD3

OMO.#: OMO-IXFE48N50QD3-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 41 Amps 500V 110 Rds
IXFE48N50QD2

Mfr.#: IXFE48N50QD2

OMO.#: OMO-IXFE48N50QD2-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds
IXFE48N50Q

Mfr.#: IXFE48N50Q

OMO.#: OMO-IXFE48N50Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
4500
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Il prezzo attuale di IXFE48N50QD2 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
38,72 USD
38,72 USD
10
36,78 USD
367,79 USD
100
34,84 USD
3 484,35 USD
500
32,91 USD
16 453,90 USD
1000
30,97 USD
30 972,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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