VT6T12T2R

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VMT-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.15 V

Corrente massima del collettore CC:

- 100 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

1.1

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

- 100 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

0.9

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

VT6T12

Tags

VT6T12, VT6T1, VT6T, VT6